產(chǎn)品詳情
曝光后的硅片從曝光系統(tǒng)又回到硅片軌道系統(tǒng),需要進(jìn)行短時(shí)間的曝光后烘培。其目的是促進(jìn)光刻膠的化學(xué)反應(yīng),哈默納科精密硅片諧波CSF-25-160-2A-GR或者提高光刻膠的粘附性并減少駐波。在光刻膠的產(chǎn)品說(shuō)明書中,生產(chǎn)商會(huì)提供后烘的時(shí)間和溫度。進(jìn)行后烘時(shí),硅片放在自動(dòng)軌道系統(tǒng)的一個(gè)熱板上,處理的溫度和時(shí)間需要根哈默納科精密硅片諧波CSF-25-160-2A-GR據(jù)光刻膠的類型確定。典型后烘的溫度90~130℃,時(shí)間1~2分鐘。
用化學(xué)顯影液溶解由曝光造成的光哈默納科精密硅片諧波CSF-25-160-2A-GR刻膠可溶解區(qū)域就是光刻膠顯影,目的是把掩模版圖形準(zhǔn)確復(fù)制到光刻膠中。顯影的要求重點(diǎn)是產(chǎn)生的關(guān)鍵尺寸達(dá)到規(guī)格要求。



