主營產(chǎn)品：HITACHI energy IGBT模塊/PNJ SiC器件/光寶光耦/電容
15361865073（總經(jīng)理）
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| 詳細參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 日立 | 型號 | 5SNG0900R120590 |
| 用途 | 其他 | 封裝外形 | 直插 |
| 材料 | 其他 | 相數(shù) | 其他 |
| 控制方式 | 其他 | 主電路形式 | 其他 |
| 頻率 | 中頻 | 加工定制 | 否 |
| 導電溝道 | 其他 | 導電方式 | 其他 |
供應變頻器IGBT模塊5SNG0900R120590
5SNG 0900R120590
LoPak phase leg IGBT module
VCE = 1200 V
IC = 2x 900 A
用于可靠輔助觸點的壓配合引腳
超低損耗加固型Trench IGBT芯片組
NTC熱敏電阻器，用于溫度傳感
低熱阻銅基板
預涂熱界面材料（TIM），提高模塊和散熱器之間的熱傳導率
工業(yè)標準封裝
ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT，雙/橋臂式IGBT，斬波和雙二極管模塊。大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開關低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點。推出的62Pak快速轉換IGBT中壓功率模塊，具有的開關損耗，在175°C下全方SOA運行，標準封裝要求并容易替換。
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