產(chǎn)品詳情
Gate turn-off Thyristor
5SGA 20H2501
VDRM = 2500 V
ITGQM = 2000 A
ITSM = 16 kA
VT0 = 1.66 V
rT = 0.57 mΩ
VDClin = 1400 V
自由漂浮硅技術(shù)
低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
環(huán)形閘極
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外殼
宇宙輻射耐受等級(jí)
門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀(jì)80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO 的生產(chǎn)始于 20 世紀(jì) 80 年代中期。GTO 是一種晶閘管，向門級(jí)反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導(dǎo)通。
GTO 經(jīng)過優(yōu)化，傳導(dǎo)損耗很低。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開關(guān)頻率在 200 - 500 赫茲范圍內(nèi)。GTO 本質(zhì)上是相對(duì)較慢的開關(guān)。從開到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時(shí)間在 10 - 30 微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO 的導(dǎo)通和關(guān)斷都需要稱為“緩沖器”的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)。導(dǎo)通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO 需要一個(gè)限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的 GTO 都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當(dāng)作電源端子的電觸點(diǎn)。
5SGA 20H2501
VDRM = 2500 V
ITGQM = 2000 A
ITSM = 16 kA
VT0 = 1.66 V
rT = 0.57 mΩ
VDClin = 1400 V
自由漂浮硅技術(shù)
低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
環(huán)形閘極
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外殼
宇宙輻射耐受等級(jí)
門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀(jì)80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO 的生產(chǎn)始于 20 世紀(jì) 80 年代中期。GTO 是一種晶閘管，向門級(jí)反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導(dǎo)通。
GTO 經(jīng)過優(yōu)化，傳導(dǎo)損耗很低。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開關(guān)頻率在 200 - 500 赫茲范圍內(nèi)。GTO 本質(zhì)上是相對(duì)較慢的開關(guān)。從開到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時(shí)間在 10 - 30 微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO 的導(dǎo)通和關(guān)斷都需要稱為“緩沖器”的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)。導(dǎo)通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO 需要一個(gè)限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的 GTO 都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當(dāng)作電源端子的電觸點(diǎn)。
