存儲器作為智能終端產(chǎn)品中的重要元件，一直是芯片行業(yè)的重要組成部分，也是我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的重點方向之一。今年以來在存儲器芯片領(lǐng)域受關(guān)注的行業(yè)事件中，東芝出售存儲芯片業(yè)務絕對要算在其中，且近日又有關(guān)于此事的消息傳出。


　　據(jù)金融時報報道，消息人士稱，日本政府目前正在進一步地參與到東芝出售存儲芯片業(yè)務的交易中，此前這筆交易因為種種原因進展緩慢，已經(jīng)引發(fā)了投資者的不滿。

　　據(jù)悉，日本政府正在努力和東芝內(nèi)部達成意見一致，加速交易進程。熟悉此次競購的消息人士稱，東芝存在“基礎(chǔ)性的公司治理缺陷”。

　　東芝作為全球閃存的發(fā)明者和領(lǐng)先企業(yè)，在市場份額上，僅次于三星電子名列全球第二。而此次出售存儲芯片業(yè)務的交易還導致東芝與合作伙伴西部數(shù)據(jù)之間發(fā)生了法律糾紛。東芝出售存儲芯片業(yè)務是為了彌補巨額虧損，避免被東京股票交易所摘牌。參與談判的銀行家和律師表示，考慮到交易的必要流程，東芝必須在8月底之前確定買家。

　　目前討論的焦點仍是來自由貝恩資本、日本政府基金INCJ，以及SK海力士所組成財團提出的方案。

　　中國芯何時閃耀世界？

　　存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備，存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，電腦中的內(nèi)存條。非易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（NAND FLASH和NOR FLASH），NOR主要應用于代碼存儲介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲。在整個存儲器芯片里面，主要有的三種產(chǎn)品是：DRAM、NOR FLASH和NAND FLASH。

　　在芯片行業(yè)，處理器等邏輯電路一直都占第一位，不過隨著數(shù)據(jù)的不斷爆炸性增長，市場對存儲芯片的需求在不斷增長，這導致存儲芯片市場的容量正在迅速增長，估計很快將超過邏輯電路。據(jù)IC insights的數(shù)據(jù)顯示2016年邏輯電路市場容量為883億美元，存儲芯片市場容量為743億美元，兩者的差距已縮小到20%以內(nèi)。其中，閃存芯片是一個發(fā)展前景廣闊的朝陽業(yè)務，目前智能手機、個人電腦配置的閃存越來越多。

　　目前國內(nèi)在用的NAND、DRAM芯片幾乎全部依賴進口，以紫光為首的公司正在大力推動國產(chǎn)NAND芯片，32層堆棧的3D NAND閃存已經(jīng)出樣，預計明年開始量產(chǎn)，2019年則要推出64層3D NAND閃存。

　　目前NAND閃存主要被三星、SK Hynix、美光、東芝等少數(shù)公司壟斷，然而隨著物聯(lián)網(wǎng)需求的發(fā)展，存儲芯片更成為電子行業(yè)的剛需。

　　中國也積極接入存儲產(chǎn)業(yè)，整合上游廠商發(fā)展出具中國自有技術(shù)并聯(lián)合中、下游的產(chǎn)業(yè)，形成群聚效應，進而推進中國半導體產(chǎn)業(yè)的進一步成長。

　　目前發(fā)展最快的，是紫光主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，他們的主要產(chǎn)品就是國產(chǎn)3D NAND閃存。來自中科院的消息稱，長江存儲研發(fā)的3D NAND閃存已經(jīng)取得標志性進展，堆棧層數(shù)達到了32層。

　　相比國際大廠的研發(fā)進度，三星、美光和東芝都開始向72層及以上的研發(fā)加快步伐，國內(nèi)的研發(fā)進程還有一定距離。

　　不過，3D閃存工廠的生產(chǎn)裝備將在2018年Q1季度完成安裝，2019年則會完全量產(chǎn)。目標是在2020年時技術(shù)上達到國際領(lǐng)先的存儲芯片供應商的水平，實現(xiàn)存儲芯片的后發(fā)先至。

　　中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產(chǎn)能，而國家存儲芯片基地更是在萬眾矚目下迅速壯大。在強大的市場需求及中國政府的財政支持下，我們希望能早日看到“中國芯”的產(chǎn)品出現(xiàn)在世界的舞臺。