產(chǎn)品詳情
IGBT技術(shù)不斷發(fā)展，其結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)也發(fā)生了較大的變化。IGBT的結(jié)構(gòu)發(fā)展經(jīng)歷了穿透型（PT）、非穿透型（NPT）以及場(chǎng)終止型（TFS）。隨著結(jié)構(gòu)的不斷升級(jí)，其產(chǎn)品技術(shù)特性也得到了不斷發(fā)展，從在穿透型的IGBT升級(jí)到具有關(guān)斷速度、開(kāi)關(guān)損耗*低以及*加**的非穿透型，再到芯片*薄、導(dǎo)通損耗*低以及開(kāi)關(guān)損耗*低的場(chǎng)終止型。 FF450R17ME4為英飛凌EconoDUAL? 3模塊，采用溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT4和**控制二*管，帶有溫度檢測(cè)NTC。FF450R17ME4電壓為1700 V，電流為450A。其目標(biāo)應(yīng)用包括：工業(yè)電子產(chǎn)品的眾多功率應(yīng)用中，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)與運(yùn)動(dòng)控制硬件、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源／開(kāi)關(guān)電源和焊接機(jī)械。這個(gè)新的IGBT模塊滿足了市場(chǎng)對(duì)具備*高功率和較高可靠性的緊湊式IGBT模塊與日俱增的需求。FF450R17ME4采用了巧妙的優(yōu)化芯片布局和模塊設(shè)計(jì)。這種**封裝概念，提高了散熱性，降低了基板與散熱器之間的熱阻，并且較大限度地減小了內(nèi)部漏感。 FF450R17ME4模塊的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：*低損耗，確保率及開(kāi)關(guān)速度；高**性帶來(lái)了嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境下的高可靠性，高短路能力降低了保護(hù)需求；正溫度系數(shù)器件可輕松并聯(lián)以提高電流處理能力；**續(xù)流二*管提供緊湊模塊封裝形式的一體化方案。 FF450R17ME4規(guī)格參數(shù) 產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊 制造商: Infineon 產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules 配置: Dual 集電*—發(fā)射*較大電壓 VCEO: 1700 V 集電*—射*飽和電壓: 2.3 V 在25 C的連續(xù)集電*電流: 600 A 柵*—射*漏泄電流: 400 nA Pd-功率耗散: 2500 W 較大工作溫度: + 150 C 商標(biāo): Infineon Technologies 柵*/發(fā)射*較大電壓: +/- 20 V 較小工作溫度: - 40 C 安裝風(fēng)格: Screw 工廠包裝數(shù)量: 10
