產(chǎn)品詳情
晶圓級(jí)半導(dǎo)體芯片工業(yè)烘烤箱采用氮?dú)猸h(huán)境控制系統(tǒng)，氧含量可穩(wěn)定控制在10ppm以下，滿(mǎn)足28nm以下制程對(duì)氧化敏感的嚴(yán)格要求。多溫區(qū)獨(dú)立加熱模塊配合鉑電阻傳感器，實(shí)現(xiàn)200mm晶圓表面±0.3℃的溫場(chǎng)均勻性，某3D封裝客戶(hù)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)表明，TSV硅通孔結(jié)構(gòu)的翹曲率降低至0.12μm/mm。腔體采用電拋光316L不銹鋼材質(zhì)，表面粗糙度Ra≤0.4μm，配合ULPA超高效過(guò)濾器，使0.1μm顆粒沉降量控制在5pcs/ft3以下。智能壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)支持10-760Torr真空烘烤模式，有效消除BGA焊球中的微氣泡，某存儲(chǔ)芯片廠商應(yīng)用后良率提升3.2個(gè)百分點(diǎn)。能耗優(yōu)化方面，回收裝置將廢氣熱能轉(zhuǎn)化效率提升至65%，12英寸晶圓產(chǎn)線年節(jié)約液氮消耗超80噸。SECS/GEM協(xié)議兼容性實(shí)現(xiàn)與AMHS自動(dòng)物料系統(tǒng)的無(wú)縫對(duì)接，可追溯每批次晶圓的120組工藝參數(shù)，配合AI算法自動(dòng)補(bǔ)償光刻膠固化中的熱歷史效應(yīng)。安全模塊包含四級(jí)互鎖防護(hù)與VOC低溫催化分解單元，符合SEMI S2/S8標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)已擴(kuò)展應(yīng)用于CIS圖像傳感器鈍化層固化、GaN功率器件退火等先進(jìn)工藝。
