產(chǎn)品詳情
隨著半導(dǎo)體工藝向3nm/2nm制程逼近，真空環(huán)境的潔凈度與穩(wěn)定性直接決定了芯片良率與生產(chǎn)成本。貝克干式真空泵（Busch Dry Vacuum Pumps）憑借無(wú)油污染、高精度控制、超長(zhǎng)運(yùn)行壽命三大核心優(yōu)勢(shì)，為晶圓蝕刻、化學(xué)氣相沉積（CVD）、離子注入等關(guān)鍵工藝提供全流程真空解決方案，助力半導(dǎo)體制造企業(yè)突破技術(shù)瓶頸。
三大核心工藝場(chǎng)景的關(guān)鍵詞應(yīng)用解析
1. 晶圓蝕刻工藝：納米級(jí)精度控制
- 關(guān)鍵詞應(yīng)用：干式螺桿真空泵 / 無(wú)油污染 / 真空度穩(wěn)定性
- 技術(shù)痛點(diǎn)：傳統(tǒng)油潤(rùn)滑泵碳?xì)湮廴緦?dǎo)致刻蝕線寬偏差＞5%
- 貝克方案：
- 采用**COBRA NC系列干式螺桿泵，真空腔體零油分子殘留
- DLC（類金剛石）涂層技術(shù)，摩擦系數(shù)降低60%，壽命達(dá)80,000小時(shí)
- 動(dòng)態(tài)壓力控制系統(tǒng)，將真空度波動(dòng)控制在±0.05%以內(nèi)
- 客戶價(jià)值：
- 滿足5nm制程刻蝕線寬誤差＜1.2nm
- 年維護(hù)成本降低37%（對(duì)比濕式真空系統(tǒng)）
2. 化學(xué)氣相沉積（CVD）：薄膜均勻性保障
-關(guān)鍵詞應(yīng)用**：多級(jí)羅茨泵組 / 節(jié)能真空系統(tǒng) / SEMI S2認(rèn)證
- 技術(shù)痛點(diǎn)：沉積速率波動(dòng)引發(fā)薄膜厚度不均（＞3%偏差）
- 貝克方案：
- R5羅茨泵+螺桿泵組合系統(tǒng)，抽速范圍覆蓋10-1000 m3/h
- IE4超高能效設(shè)計(jì)，對(duì)比傳統(tǒng)方案節(jié)能28%
- 通過SEMI S2/S8安全認(rèn)證，適配全球主流CVD設(shè)備
- 客戶價(jià)值：
- 薄膜沉積均勻性提升至99.6%（厚度偏差＜0.5%）
- 每臺(tái)泵年減碳量達(dá)12.5噸（獲碳足跡認(rèn)證）
3. 離子注入工藝：超低顆粒污染控制
- 關(guān)鍵詞應(yīng)用：變頻節(jié)能真空泵 / ISO 5級(jí)潔凈度 / 智能預(yù)測(cè)維護(hù)
-技術(shù)痛點(diǎn)：真空腔內(nèi)微粒污染導(dǎo)致芯片短路率上升
- 貝克方案：
- 磁懸浮軸承技術(shù)，運(yùn)行微粒釋放量＜5顆粒/m3（ISO 5級(jí)標(biāo)準(zhǔn)）
- 智能變頻驅(qū)動(dòng)，根據(jù)工藝需求自動(dòng)調(diào)節(jié)功率，能耗降低35%
- 內(nèi)置IoT傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)振動(dòng)/溫度數(shù)據(jù)，故障預(yù)警準(zhǔn)確率＞92%
- 客戶價(jià)值：
- 芯片缺陷率從0.15%降至0.03%
- 非計(jì)劃停機(jī)時(shí)間減少65%
貝克干式真空泵性能優(yōu)勢(shì)對(duì)比
性能維度
傳統(tǒng)油潤(rùn)滑泵
貝克干式真空泵
提升幅度
潔凈度
油霧污染風(fēng)險(xiǎn)高
無(wú)油運(yùn)行
污染風(fēng)險(xiǎn)降為0
能耗
固定轉(zhuǎn)速，能效比＜85%
變頻調(diào)節(jié)，能效比達(dá)96%
用電成本↓28%
維護(hù)周期
每500小時(shí)更換潤(rùn)滑油
20,000小時(shí)免維護(hù)
維護(hù)頻率↓97%
真空穩(wěn)定性
波動(dòng)范圍±0.5%
動(dòng)態(tài)補(bǔ)償至±0.05%
控制精度↑10倍
兼容性
僅適配單一工藝
模塊化設(shè)計(jì)支持快速重構(gòu)
改造成本↓40%
半導(dǎo)體客戶案例實(shí)證
案例1：某國(guó)際半導(dǎo)體大廠5nm產(chǎn)線升級(jí)
- 需求：解決3D NAND蝕刻工藝中的側(cè)壁粗糙度問題
- 方案：部署12套COBRA NC 2800干式泵系統(tǒng)，集成真空度閉環(huán)控制模塊
-成果：
- 關(guān)鍵尺寸均勻性（CDU）從4.2nm優(yōu)化至1.8nm
- 單臺(tái)泵年耗電量從18.7萬(wàn)度降至13.5萬(wàn)度
- 獲得客戶“供應(yīng)商技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”
案例2：第三代半導(dǎo)體GaN器件量產(chǎn)項(xiàng)目
挑戰(zhàn)：CVD工藝中氨氣腐蝕導(dǎo)致泵體壽命＜3000小時(shí)
-方案：定制化**耐腐蝕涂層R5羅茨泵組**+陶瓷密封組件
- 成效：
- 設(shè)備MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）突破25,000小時(shí)
- 晶圓產(chǎn)能提升至每月15,000片
- 材料損耗率從1.2%降至0.4%
為先進(jìn)制程量身定制的技術(shù)延伸
針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)未來趨勢(shì)，貝克同步推出：
- AI驅(qū)動(dòng)的真空系統(tǒng)：通過機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化泵組運(yùn)行參數(shù)，能耗再降15%
- 納米級(jí)檢漏方案：氦質(zhì)譜儀聯(lián)動(dòng)檢測(cè)，泄漏率靈敏度達(dá)1×10?12 Pa·m3/s
- Hybrid混合動(dòng)力泵：結(jié)合螺桿泵與渦旋泵優(yōu)勢(shì)，抽速范圍擴(kuò)展至0.1-2000 m3/h
