產(chǎn)品詳情
多子(自由電子)的濃度就越高,導(dǎo)電性能也就越強。
當反向電壓超過一定數(shù)值后,反向電流急劇增加,稱之為反向擊穿。
擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。日本HD導(dǎo)電裝置諧波減速CSF-8-30-1U在高摻雜的情況下,因耗盡層寬度很小,不大的反向電壓就可在耗盡層形成很強的電場日本HD導(dǎo)電裝置諧波減速CSF-8-30-1U,而直接破壞共價鍵,使價電子脫離共價鍵束縛,產(chǎn)生電子一空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿,可見齊納擊穿電壓較低。如果摻雜濃度較低,耗盡層寬度較寬,那么低反向電壓下不會產(chǎn)生齊納擊穿日本HD導(dǎo)電裝置諧波減速CSF-8-30-1U。當反向電壓增加到較大數(shù)值時,耗盡層的電場使少子加快漂移速度,從而與共價鍵中的價電子相碰撞



