產(chǎn)品詳情
閔 行本地專(zhuān)業(yè)收購(gòu)英飛凌三菱西門(mén)康IGBT模塊廠家，電話：13381583360
本公司回收英飛凌三菱富士達(dá)西門(mén)康IGBT模塊、IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類(lèi)。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。
回收IGBT模塊、IGBT模塊的制造工藝流程：
1、IGBT模塊封裝是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起，以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性，而IGBT模塊的市場(chǎng)需求趨勢(shì)則是體積更小、效率更高、可靠性更高，實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)就有待于IGBT模塊封裝技術(shù)的研發(fā)。目前流行的IGBT模塊封裝形式有引線型、焊針型、平板式、圓盤(pán)式四種，常見(jiàn)的模塊封裝技術(shù)有很多，各生產(chǎn)商的命名也不一樣，如英飛凌的62mm封裝、TP34、DP70等等。IGBT模塊有3個(gè)連接部分，分別是硅片上的鋁線鍵合點(diǎn)、硅片與陶瓷絕緣基板的焊接面、陶瓷絕緣基板與銅底板的焊接面。這些接點(diǎn)的損壞都是由于接觸面兩種材料的熱膨脹系數(shù)相抵觸而產(chǎn)生的應(yīng)力和材料的熱惡化造成的；
