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IGBT英飛凌FF600R12KE4功率半導體igbt

數量(支) 價格
300 150.00元/支
  • 最小起訂: 1支
  • 發(fā)貨地址: 江蘇 蘇州市
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  • 訪問量:255
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祥盛芯城(上海)半導體有限公司

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  • 企業(yè)地址:江蘇省昆山市開發(fā)區(qū)億豐裝飾城

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詳細參數
品牌英飛凌斯型號型號齊全
類型元素半導體材料材質
產品名稱詳詢牌號詳詢
用途詳詢外觀詳詢
密度詳詢硬度詳詢
特性詳詢電阻率詳詢
適用溫度詳詢產地詳詢
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產品詳情

祥盛芯城(上海)半導體有限公司,專業(yè)代理及經銷品牌功率器件:英飛凌,艾賽斯,西門康,巴斯曼,西門子,三菱,富士,東芝,三社,日立,IXYS,IR,,等功率模塊,GTR,IGBT,IPM,PIM,可控硅,ABB,整流橋,二極管,場效應及 驅動電路,快速熔斷器,IGBT驅動電路,變頻器主板 歡迎定購,價格從優(yōu),歡迎新老客戶來電洽談!
主要銷售歐洲、美國、日本等品牌模塊。 祥盛芯城(上海)半導體有限公司一直本著“質量第一,價格合理, 交貨快捷,客戶至上”的經營宗旨,公司貨源一手,在廣大用戶的大力支持下,業(yè)務日益發(fā)展。公司經營的電力功率模塊,主要用于新能源,醫(yī)療器械,汽車,電梯,不間斷電源,電力機車,風力發(fā)電,機場設施,工控設備,電機調速,礦山焊機,船舶艦艇,變頻設備等高科技領域。

 1.IGBT結構和工作原理
    將IGBT結構簡化為等效電路,可以看出是雙極性晶體管和MOSFET組成的達林頓結構,等效為一個由MOSFET驅動的厚基區(qū)PNP晶體管。元件的開通和關斷由柵極和發(fā)射極之間的電壓決定,當電壓大于開啟電壓之后MOSFET內形成溝道,并為晶體管提供基極電流從而使IGBT導通。
    當柵極和發(fā)射極之間施加反向電壓或者不施加信號后,MOSFET內部溝道消失,晶體管的基極電流被切斷,IGBT關斷。

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