產(chǎn)品詳情
若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級(jí)的漏電流流過(guò),基本上不消耗功率。
IGBTABB模塊FS225R12KE3/AGDR-81CS,ABB IGBT德國(guó)英飛凌、瑞士ABB
如何查看ABB變頻器ISU模塊內(nèi)IGBT哪項(xiàng)有故障?
除非IGBT有明顯的變化,比方說(shuō)燒黑了之類(lèi)的,否則,單憑肉眼,是無(wú)法看出IGBT是否OK的話(huà)。要想做出準(zhǔn)確的判斷的話(huà),需要將IGBT拆下來(lái),并用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量。



