產(chǎn)品詳情
蝕刻的機制,按發(fā)生順序可概分為「反應物接近表面」、harmonic蝕刻機諧波傳動SHF-40-80-2UH 「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個蝕刻,包含反應物接近、生成物離開的擴散效應,以及化學反應兩部份。整個蝕刻的時間,等于是擴散與化學反應兩部份所費時間的總和。二者之中孰者費時較長,harmonic蝕刻機諧波傳動SHF-40-80-2UH整個蝕刻之快慢也卡在該者,故有所謂「reblimited」與「diffusionlimited」兩類蝕刻之分。
1、 濕蝕刻
最普遍、也是設備成本最低的蝕刻方法,其設備如所示。harmonic蝕刻機諧波傳動SHF-40-80-2UH其影響被蝕刻物之蝕刻速率(etchingrate)的因素有三:蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌(stirring)之有無。定性而言,增加蝕刻溫度與加入攪拌



